DRAM的存储元：由 MOS晶体管 和 电容器 组成的记忆电路 电容上的电荷一般只能维持1~2ms 简化了每个存储元的结构，存储密度很高，大容量DRAM 价格相对较低，常用作计算机的主存
DRAM的读操作是破坏 性的，读操作会使电容 器上的电荷流失，因而 读出后必须刷新。
特点：
- 地址线采用了重用，地址分为行地址和列地址，分时输入， 可减少芯片地址的引线
- 增加了刷新计数器和刷新控制电路。DRAM读出数据后必 须刷新*
- DRAM的刷新是通过按行方式进行的，所以刷新计数器的 长度等于行地址锁存器*
DRAM的存储元：由 MOS晶体管 和 电容器 组成的记忆电路 电容上的电荷一般只能维持1~2ms 简化了每个存储元的结构，存储密度很高，大容量DRAM 价格相对较低，常用作计算机的主存
DRAM的读操作是破坏 性的，读操作会使电容 器上的电荷流失，因而 读出后必须刷新。
特点：